---

B6: Spinabhängiges Tunneln in oxidischen Heterostrukturen

Es sollen Grenzflächen-Zustände in Typ-III "broken-gap" oxidischen Heterostrukturen untersucht werden. Die Tunnelkopplung zwischen dem (höher liegenden) p-artigen Valenzband des einen Materials und dem (tiefer liegenden) s-artigen Leitungsband des anderen Materials kann zur Entstehung einer Bandlücke und topologisch geschützten Randzuständen führen. Es sollen geeignete oxidische Materialkombinationen und Heterostrukturen mittels gepulster Laserdeposition hergestellt werden und insbesondere auf ihre Magneto­transport-Eigenschaften hin untersucht werden. Die Entstehung solcher topologisch geschützter Zustände in Typ-III Heterostrukturen und ihr Beitrag sowohl zu Magnetotransport als auch Tunnelwiderstand sollen theoretisch unter Berücksichtigung von Wechselwirkungs- und Unordnungseffekten modelliert werden. Der Beitrag der Coulomb-Wechselwirkung zur möglichen Reorganisation der Randkanäle und zur Entstehung eines Exziton-Kondensats soll theoretisch beschrieben werden, und die Konsequenzen für dissipativen Rand­transport und Tunnelwiderstand sollen untersucht werden.

Projektleiter

Zum Seitenanfang